ROHM N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 80 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3L08DBKHRB AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 687-465P
- Producentens varenummer:
- RD3L08DBKHRBTL
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 20 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 126,00
(ekskl. moms)
Kr. 157,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 20 - 48 | Kr. 6,30 |
| 50 - 198 | Kr. 5,64 |
| 200 - 998 | Kr. 4,55 |
| 1000 + | Kr. 4,46 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-465P
- Producentens varenummer:
- RD3L08DBKHRBTL
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3L08DBKHRB | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 76W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.3mm | |
| Længde | 10.5mm | |
| Bredde | 6.8mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101, RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-252 (TL) | ||
Serie RD3L08DBKHRB | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 76W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.3mm | ||
Længde 10.5mm | ||
Bredde 6.8mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101, RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
ROHM Power MOSFET er designet til høj ydeevne i krævende anvendelser og giver pålidelige skiftefunktioner med lav modstand ved tænding og en robust fejlspænding. Designet til at håndtere op til 80 A kontinuerlig afløbsstrøm, og med en maksimal afløbs-kildespænding på 60 V sikrer denne komponent effektivitet og holdbarhed. Den er velegnet til bilelektronik, belysning og andre strømstyringssystemer, har blyfri belægning og er AEC-Q101-kvalificeret, hvilket gør den i overensstemmelse med de nyeste industristandarder. Denne MOSFET giver en kombination af fremragende termisk ydeevne og pålidelighed, hvilket gør den til et velegnet valg for ingeniører, der ønsker at optimere deres kredsløbsdesign.
Lav modstand på 7,5 mΩ maksimerer effektiviteten
AEC Q101-kvalifikation sikrer høj driftssikkerhed i biler
Består 100 % avalanche-test for øget holdbarhed
Kan håndtere kontinuerlig afløbsstrøm op til 80 A
Maksimal mærkespænding for drain-kilde på 60 V giver en betydelig overspænding
Blyfri belægning overholder RoHS-kompatibilitet, hvilket fremmer miljøansvar
Alsidig emballage sikrer kompatibilitet på tværs af forskellige anvendelsesdesign
Ideel til brug i ADAS, informationssystemer og karrosserikontroller
Har lave gate-opladningsegenskaber for hurtigere koblingstider