ROHM Type P-Kanal, Enkelt MOSFET'er 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3L04BBJHRB AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 687-468P
- Producentens varenummer:
- RD3L04BBJHRBTL
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 20 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 274,50
(ekskl. moms)
Kr. 343,12
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 100 enhed(er) afsendes fra 25. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 20 - 48 | Kr. 13,725 |
| 50 - 198 | Kr. 12,38 |
| 200 - 998 | Kr. 10,025 |
| 1000 + | Kr. 9,725 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 687-468P
- Producentens varenummer:
- RD3L04BBJHRBTL
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | RD3L04BBJHRB | |
| Emballagetype | TO-252 (TL) | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 30mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 77W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 48nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 5V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.3mm | |
| Længde | 10.5mm | |
| Bredde | 6.8mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101, RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie RD3L04BBJHRB | ||
Emballagetype TO-252 (TL) | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 30mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 77W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 48nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 5V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.3mm | ||
Længde 10.5mm | ||
Bredde 6.8mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101, RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
ROHM P-kanals effekt-MOSFET er designet til effektiv omskiftning i biler og industrielle anvendelser. Denne komponent er i stand til at modstå en drain-source-spænding på -60 V og maksimal kontinuerlig drain-strøm på ±48 A og sikrer pålidelig ydeevne under krævende forhold. Med en lav modstand ved tænding på 30 mΩ optimerer den effekttab og øger dermed den samlede systemeffektivitet. Produktet er også AEC-Q101-kvalificeret og 100 % avalanche-testet, hvilket gør det til et ideelt valg til kritiske anvendelser, hvor pålidelighed er afgørende.
Lav modstand ved tænding fremmer energieffektivitet
AEC Q101-kvalifikation sikrer høj driftssikkerhed i biler
100 % avalanche-test giver sikkerhed for ydeevne under belastning
Kompatibel med et bredt temperaturområde fra -55 °C til 175 °C for alsidig brug
Avalancheenergi på 34,9 mJ forbedrer robustheden under dynamiske forhold
Komplette elektriske egenskaber ved 25 °C giver mulighed for præcis anvendelse i konstruktioner
Præget emballage garanterer sikker og effektiv opbevaring og håndtering
Optimeret til forskellige anvendelser, herunder ADAS, infotainment og belysning