Infineon Halvbro N-kanal-Kanal, MOSFET-moduler, 1185 A 2300 V Forbedring, 15 Ben, XHP-2, XHP 2
- RS-varenummer:
- 762-888
- Producentens varenummer:
- FF1000UXTR23T2M1PBPSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 enhed)*
Kr. 29.059,73
(ekskl. moms)
Kr. 36.324,66
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 4 enhed(er) afsendes fra 23. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 29.059,73 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 762-888
- Producentens varenummer:
- FF1000UXTR23T2M1PBPSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Produkttype | MOSFET-moduler | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1185A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 2300V | |
| Emballagetype | XHP-2 | |
| Serie | XHP 2 | |
| Monteringstype | Skrueterminal | |
| Benantal | 15 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.19mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 20mW | |
| Gennemgangsspænding Vf | 6.25V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5.3μC | |
| Transistorkonfiguration | Halvbro | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Længde | 140mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Produkttype MOSFET-moduler | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1185A | ||
Drain source spænding maks. Vds 2300V | ||
Emballagetype XHP-2 | ||
Serie XHP 2 | ||
Monteringstype Skrueterminal | ||
Benantal 15 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.19mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 20mW | ||
Gennemgangsspænding Vf 6.25V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5.3μC | ||
Transistorkonfiguration Halvbro | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Længde 140mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Infineon CoolSiC MOSFET-halvbromodulet har en mærkespænding på 2300 V og understøtter høj strømtæthed. Den har AlSiC-bundplade for øget termisk cyklisk kapacitet og høje krybeafstande og afstande.
Lavt induktivt design
Lavt skiftetab
Høj effekttæthed
Relaterede links
- Infineon Halvbro N-kanal-Kanal 710 A 2300 V Forbedring XHP-2, XHP 2
- Infineon Halvbro N-kanal-Kanal 1000 A 2300 V Forbedring XHP-2, XHP 2
- Infineon Halvbro N-kanal-Kanal 675 A 2300 V Forbedring XHP-2, XHP 2
- Infineon Halvbro N-kanal-Kanal 1330 A 2300 V Forbedring XHP-2, XHP 2
- Infineon Halvbro N-kanal-Kanal 1070 A 2300 V Forbedring XHP-2, XHP 2
- Infineon Halvbro N-kanal-Kanal 1150 A 2300 V XHP-2, XHP 2
- Infineon Halvbro N-kanal-Kanal 1050 A 2300 V XHP-2, XHP 2
- Infineon Halvbro N-kanal-Kanal 1335 A 2300 V Forbedring AG-XHP2K33, XHP 2