Infineon N-Kanal, Effekt MOSFET, 92 A 25 V Forbedring, 4 Ben, TO-247-4, CoolSiC
- RS-varenummer:
- 762-924
- Producentens varenummer:
- IMZC140R019M2HXKSA1
- Brand:
- Infineon
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 125,07
(ekskl. moms)
Kr. 156,34
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 240 enhed(er) afsendes fra 21. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 125,07 |
| 10 - 99 | Kr. 101,80 |
| 100 - 479 | Kr. 84,75 |
| 480 - 1199 | Kr. 75,47 |
| 1200 + | Kr. 70,54 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 762-924
- Producentens varenummer:
- IMZC140R019M2HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 92A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 25V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Emballagetype | TO-247-4 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 19mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 78nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 380W | |
| Portkildespænding maks. | 23V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 23.5mm | |
| Højde | 5.1mm | |
| Bredde | 16mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 92A | ||
Drain source spænding maks. Vds 25V | ||
Serie CoolSiC | ||
Emballagetype TO-247-4 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 19mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 78nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 380W | ||
Portkildespænding maks. 23V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 23.5mm | ||
Højde 5.1mm | ||
Bredde 16mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 er en siliciumkarbid-MOSFET med .XT-sammenkoblingsteknologi. Den bruger .XT-sammenkoblingsteknologi for bedste termisk ydeevne i klassen og robust husdiode til hård kommutation.
Drift ved høje temperaturer
Velegnet til hård kommutation
Pålidelig varmestyring
Forbedret ydeevne
Øget effektivitet
Optimeret gate-drev
Velegnet til kraftelektronik