onsemi N-Kanal, Småsignals-mosfet, 270 mA 30 V Forbedringstilstand, 3 Ben, SC-70, NTS4001N AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 765-284P
- Producentens varenummer:
- NTS4001NT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 500 enheder (leveres på en rulle)*
Kr. 306,00
(ekskl. moms)
Kr. 382,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.950 enhed(er) afsendes fra 05. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 500 - 2450 | Kr. 0,612 |
| 2500 - 4950 | Kr. 0,549 |
| 5000 + | Kr. 0,474 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 765-284P
- Producentens varenummer:
- NTS4001NT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Småsignals-mosfet | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 270mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | NTS4001N | |
| Emballagetype | SC-70 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.5Ω | |
| Kanalform | Forbedringstilstand | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.7V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.3nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 330mW | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.11mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Længde | 3.04mm | |
| Bredde | 2.64mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Småsignals-mosfet | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 270mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie NTS4001N | ||
Emballagetype SC-70 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.5Ω | ||
Kanalform Forbedringstilstand | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.7V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.3nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 330mW | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.11mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Længde 3.04mm | ||
Bredde 2.64mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Onsemi MOSFET er designet til effektivitet i anvendelser med lavt strømforbrug og tilbyder bemærkelsesværdige ydeevnefunktioner til innovation i forskellige elektroniske enheder. Med et kompakt SC-70-hus skiller denne enkelt N-kanal MOSFET sig ud med sin lave gate-ladning, der muliggør hurtige skiftefunktioner, samtidig med at den sikrer robust ESD-beskyttelse. Enheden understøtter en maksimal drain-til-kilde-spænding på 30 V og en kontinuerlig drænstrøm på 270 mA, hvilket gør den velegnet til anvendelser som f.eks. batteridrevne enheder og buck-konvertere. Den er bygget med pålidelighed i tankerne og overholder AEC-Q101-standarderne, samtidig med at den er i overensstemmelse med RoHS, hvilket understreger onsemis engagement i bæredygtighed og kvalitet.
Lav gate-ladning letter hurtig og effektiv omskiftning
Kompakt bundareal er 30 % mindre end traditionelle TSOP-6-huse, hvilket sparer plads på kortet
ESD-beskyttelse forbedrer enhedens levetid og ydeevne
AEC-Q101-kvalificeret, der sikrer robusthed til biler og anvendelser med høj pålidelighed
Pb-fri og i overensstemmelse med RoHS, i overensstemmelse med miljøstandarder
Alsidige anvendelser omfatter lav-side belastningskontakter og bærbar elektronik
Understøtter et bredt temperaturområde fra -55 °C til 150 °C til forskellige driftsmiljøer
Let at integrere i design med et forenklet pakkelayout til overflademontering