Vishay N-kanal-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 95 A 200 V Forbedringstilstand, 8 Ben, P, SQJ

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 38,60

(ekskl. moms)

Kr. 48,25

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 07. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 38,60
10 - 99Kr. 25,28
100 - 499Kr. 18,55
500 - 999Kr. 16,61
1000 +Kr. 15,78

*Vejledende pris

RS-varenummer:
829-355
Producentens varenummer:
SQJQ190ER-T1_GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

N-kanal

Produkttype

Enkelt MOSFET'er

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

95A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Serie

SQJ

Emballagetype

P

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0143Ω

Kanalform

Forbedringstilstand

Effektafsættelse maks. Pd

375W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

56nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

20V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

8mm

Længde

8.10mm

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Højde

1.04mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
DE
Vishay Power MOSFET giver fremragende ydeevne i bilanvendelser og sikrer pålidelig drift under krævende forhold med robuste termiske styringsfunktioner for både ydeevne og levetid.

TrenchFET-teknologi for øget effektivitet

AEC-Q101-kvalificeret til pålidelighed i bilindustrien

Tynd profil på 1,9 mm supplerer kompakte design

Maksimal drain-kilde-spænding på 200 V understøtter højtydende kredsløb

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.