onsemi N-Kanal, MOSFET, 1.7 A 60 V, 3 Ben, SOT-23, FDN
- RS-varenummer:
- 838-618
- Producentens varenummer:
- FDN5630
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (25 enheder, på en tape med 25)*
Kr. 32,90
(ekskl. moms)
Kr. 41,13
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 24. maj 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | Kr. 1,316 | Kr. 32,90 |
| 250 - 1225 | Kr. 1,067 | Kr. 26,68 |
| 1250 - 2475 | Kr. 0,815 | Kr. 20,38 |
| 2500 + | Kr. 0,64 | Kr. 16,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 838-618
- Producentens varenummer:
- FDN5630
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | FDN | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.1Ω | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.5W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 2.9mm | |
| Bredde | 1.4mm | |
| Højde | 1.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie FDN | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.1Ω | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.5W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 2.9mm | ||
Bredde 1.4mm | ||
Højde 1.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Onsemi N-kanal MOSFET er primært designet til at forbedre effektiviteten af jævnstrømsomformere ved hjælp af switching PWM-controllere.
Optimeret til højfrekvente anvendelser, hvilket sikrer bedre ydeevne
Har lave R DS(on)-værdier, hvilket forbedrer effektiviteten i kompakte design
Inkorporerer hurtige skiftefunktioner for forbedrede driftshastigheder
Fås i en Pb-fri og halogenfri pakke for miljøvenlighed