Vishay N-Kanal, Enkelt MOSFET'er, 352 A 80 V Forbedringstilstand, 8 Ben, PowerPAK (8x8LR), TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 847-933
- Producentens varenummer:
- SQJQ580ER-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed, på en tape med 1)*
Kr. 37,85
(ekskl. moms)
Kr. 47,31
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 04. juni 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Bånd | Pr bånd |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 37,85 |
| 10 - 99 | Kr. 24,76 |
| 100 - 499 | Kr. 18,55 |
| 500 - 999 | Kr. 15,56 |
| 1000 + | Kr. 14,81 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 847-933
- Producentens varenummer:
- SQJQ580ER-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Enkelt MOSFET'er | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 352A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | PowerPAK (8x8LR) | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.00144Ω | |
| Kanalform | Forbedringstilstand | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 93nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Portkildespænding maks. | 12V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 8mm | |
| Bredde | 8mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS3 Compliant | |
| Højde | 1.6mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Enkelt MOSFET'er | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 352A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype PowerPAK (8x8LR) | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.00144Ω | ||
Kanalform Forbedringstilstand | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 93nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Portkildespænding maks. 12V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 8mm | ||
Bredde 8mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS3 Compliant | ||
Højde 1.6mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay automotive N-Channel Power MOSFET leverer effektiv højtydende omskiftning til en lang række krævende anvendelser, hvilket sikrer pålidelighed under ekstreme forhold.
TrenchFET Gen V-teknologi sikrer forbedret effektivitet og ydeevne
AEC-Q101-kvalificeret til brug i biler, hvilket sikrer overholdelse af industristandarder
Kontinuerlig afløbsstrøm mærket til 352 A under standardforhold
Tynd profil på 1,9 mm maksimerer pladseffektiviteten i design
100 % testet for R og UIS, hvilket sikrer pålidelig drift
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 189 A 150 V Forbedring PowerPAK (8x8LR), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 363 A 60 V Forbedring PowerPAK (8x8LR), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 105 A 100 V Forbedring PowerPAK (8x8LR), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal-Kanal -230 A -40 V Forbedring PowerPAK (8x8LR), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 375 A 60 V Forbedringstilstand PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 430 A 80 V Forbedring PowerPAK (8x8LR) AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 430 A 80 V Forbedring PowerPAK (8x8LR), SQJQ184ER AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 329 A 30 V Forbedring PowerPAK (8x8LR), SQJQ186ER AEC-Q101