Microchip Halvbro N-kanal-Kanal, MOSFET-moduler, 266 A 1200 V Forbedring, Phase Leg SiC MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 939,01

(ekskl. moms)

Kr. 1.173,76

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 20. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 939,01

*Vejledende pris

RS-varenummer:
931-018
Producentens varenummer:
MSCSMC120AM04TBZ2AEG
Brand:
Microchip
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Microchip

Kanaltype

N-kanal

Produkttype

MOSFET-moduler

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

266A

Drain source spænding maks. Vds

1200V

Serie

Phase Leg SiC MOSFET

Monteringstype

Direkte montering

Drain source modstand maks. Rds

6mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

23V

Gennemgangsspænding Vf

4.7V

Effektafsættelse maks. Pd

766W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

726nC

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Transistorkonfiguration

Halvbro

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Microchips avancerede strømmodul tilbyder en meget effektiv fase-ben-løsning, der er designet specielt til krævende anvendelser, hvor pålidelighed og ydeevne er afgørende.

Bruger siliciumkarbidteknologi til reduceret energitab

Har lav R overtemperaturdrift, hvilket sikrer stabil drift

Indeholder en intern termistor til præcis temperaturovervågning

Leverer fremragende ydeevne i højfrekvente miljøer

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.