onsemi N-Kanal, MOSFET, 680 mA 25 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, UniFET
- RS-varenummer:
- 121-2747P
- Producentens varenummer:
- FDV303N
- Brand:
- onsemi
Få rabat ved storkøb
Tilføj 1000 flere for at gemme 13%
Se mængderabatterIndhold 500 enheder (leveres på en rulle)*
Kr. 312,50
(ekskl. moms)
Kr. 390,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 5.800 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 30. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 500 - 900 | Kr. 0,625 | - |
| 1000 + | Kr. 0,543 | 13% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 121-2747P
- Producentens varenummer:
- FDV303N
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 680mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 25V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | UniFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 450mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.64nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 350mW | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.6V | |
| Portkildespænding maks. | 8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.3mm | |
| Længde | 2.92mm | |
| Højde | 930μm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 680mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 25V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie UniFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 450mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.64nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 350mW | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.6V | ||
Portkildespænding maks. 8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.3mm | ||
Længde 2.92mm | ||
Højde 930μm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Optimeret tilstand N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
Felteffekttransistorer (FET) med optimeret tilstand er fremstillet ved hjælp af Fairchilds egenudviklede DMOS-teknologi med stor celletæthed. Denne proces med stor tæthed, der er udviklet med henblik på at minimere modstand i ledetilstand, giver en robust og pålidelig ydeevne og hurtigt skift.
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.