onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, MegaFET
- RS-varenummer:
- 124-1672
- Producentens varenummer:
- RFP50N06
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 378,65
(ekskl. moms)
Kr. 473,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 20. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 7,573 | Kr. 378,65 |
| 100 - 450 | Kr. 6,412 | Kr. 320,60 |
| 500 - 950 | Kr. 5,58 | Kr. 279,00 |
| 1000 + | Kr. 5,414 | Kr. 270,70 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 124-1672
- Producentens varenummer:
- RFP50N06
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | MegaFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 22mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 131W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 125nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.67mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.83 mm | |
| Højde | 9.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie MegaFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 22mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 131W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 125nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.67mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.83 mm | ||
Højde 9.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor
MegaFET processen, som bruger funktionsstørrelser, der nærmer sig LSI integrerede kredsløb, giver optimal udnyttelse af silicium, hvilket resulterer i fremragende ydelse.
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 50 A 60 V Forbedring TO-220, MegaFET
- onsemi Type N-Kanal 16 A 50 V Forbedring TO-252, MegaFET
- onsemi Type N-Kanal 70 A 60 V Forbedring TO-220
- onsemi Type N-Kanal 12 A 60 V Forbedring TO-220, MTP3055VL
- onsemi Type N-Kanal 21 A 60 V Forbedring TO-220, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 55 A 60 V Forbedring TO-220, UniFET
- onsemi Type N-Kanal 33 A 60 V Forbedring TO-220, UltraFET
- onsemi Type N-Kanal 193 A 60 V Forbedring TO-220, PowerTrench