onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 2.5 A 30 V Forbedring, 6 Ben, WDFN Nej
- RS-varenummer:
- 124-5405
- Producentens varenummer:
- NTLJD4116NT1G
- Brand:
- onsemi
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 6.630,00
(ekskl. moms)
Kr. 8.280,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 3.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 2,21 | Kr. 6.630,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 124-5405
- Producentens varenummer:
- NTLJD4116NT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | WDFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 250mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.78V | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.3W | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5.4nC | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2mm | |
| Højde | 0.75mm | |
| Bredde | 2 mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype WDFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 250mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.78V | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.3W | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5.4nC | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2mm | ||
Højde 0.75mm | ||
Bredde 2 mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Dobbelt N-kanal MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterede links
- onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret 2.5 A 30 V Forbedring WDFN Nej NTLJD4116NT1G
- onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret 16 A 30 V Forbedring WDFN Nej
- onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret 16 A 30 V Forbedring WDFN Nej FDMC7208S
- onsemi Type N-Kanal 30 A 30 V Forbedring WDFN, PowerTrench Nej
- onsemi Type N-Kanal 30 A 30 V Forbedring WDFN, PowerTrench Nej FDMC8010
- onsemi 2 Type P MOSFET 6 Ben μCool Nej
- onsemi Type N-Kanal 29 A 30 V Forbedring WDFN, NTTFS4C02N Nej
- onsemi Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring WDFN, PowerTrench Nej