ROHM N-Kanal, MOSFET, 200 mA 50 V Forbedring, 3 Ben, SOT-323, RU1J002YN

Få rabat ved storkøb

Tilføj 1000 flere for at gemme Kr. 22,00

Se mængderabatter

Indhold 500 enheder (leveres på en rulle)*

Kr. 190,00

(ekskl. moms)

Kr. 240,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Vi beklager. Vi har desværre ikke så mange produkter på lager. Reducér venligst antallet.
Begrænset lager
  • 200 tilbage, klar til afsendelse
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Besparelse
500 - 900Kr. 0,38-
1000 - 2400Kr. 0,358Kr. 22,00
2500 - 4900Kr. 0,317Kr. 157,50
5000 +Kr. 0,274Kr. 530,00

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
124-6836P
Producentens varenummer:
RU1J002YNTCL
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

200mA

Drain source spænding maks. Vds

50V

Emballagetype

SOT-323

Serie

RU1J002YN

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

9Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

-8V, +8V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

150mW

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

1.35mm

Længde

2.1mm

Højde

1mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET-transistorer, ROHM


MOSFET-transistorer, ROHM Semiconductor


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.