Vishay N-Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Indhold (5 enheder, leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 52,42

(ekskl. moms)

Kr. 65,53

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 5.990 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
5 +Kr. 10,484

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
134-9698P
Producentens varenummer:
SIRA90DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

SO-8

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.15mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

104W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

102nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20V

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.25mm

Højde

1.12mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

5.26mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.