Nexperia N-Kanal, MOSFET, 350 mA 30 V Forbedring, 3 Ben, SC-70, NX3008NBKW AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 136-4804
- Producentens varenummer:
- NX3008NBKW,115
- Brand:
- Nexperia
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 981,00
(ekskl. moms)
Kr. 1.227,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 08. oktober 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 0,327 | Kr. 981,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 136-4804
- Producentens varenummer:
- NX3008NBKW,115
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 350mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | NX3008NBKW | |
| Emballagetype | SC-70 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 830mW | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | -8V, +8V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.52nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.35mm | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 2.2mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 350mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie NX3008NBKW | ||
Emballagetype SC-70 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 830mW | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. -8V, +8V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.52nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.35mm | ||
Højde 1mm | ||
Længde 2.2mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
N-Channel MOSFET, op til 30 V.
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterede links
- Nexperia N-Kanal 350 mA 30 V Forbedring SC-70, NX3008NBKW AEC-Q101
- Nexperia N-Kanal 320 mA 60 V Forbedring SC-70, BSS138BKW AEC-Q101
- Nexperia N-Kanal 320 mA 60 V Forbedring SC-70, BSS138PW AEC-Q101
- Nexperia N-Kanal 310 mA 60 V Forbedring SC-70, 2N7002BKW AEC-Q101
- Nexperia N-Kanal 310 mA 60 V Forbedring SC-70, 2N7002PW AEC-Q101
- Nexperia 2 N-Kanal Isoleret 350 mA 30 V Forbedring SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- Nexperia Type P-Kanal 150 mA 50 V Forbedring SC-70, BSS84AKW AEC-Q101
- Nexperia Type P-Kanal 200 mA 30 V Forbedring SC-70, NX3008PBKW AEC-Q101