onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 61 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, UniFET Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 447,90

(ekskl. moms)

Kr. 559,90

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 550 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 8,958Kr. 447,90
100 +Kr. 8,421Kr. 421,05

*Vejledende pris

RS-varenummer:
145-5356
Producentens varenummer:
FDP61N20
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

61A

Drain source spænding maks. Vds

200V

Serie

UniFET

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

41mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

30 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

58nC

Effektafsættelse maks. Pd

417W

Gennemgangsspænding Vf

1.4V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

10.67mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

9.4mm

Bredde

4.83 mm

Bilindustristandarder

Nej

UniFET™ N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


UniFET™ MOSFET er Fairchild Semiconductors højspændings MOSFET-serie. Den har den mindste modstand i ledetilstand blandt planare MOSFET'er og har også fremragende skifteevne og højere avalanche-energistyrke. Desuden muliggør indvendig gate-source ESD-diode, at UniFET-II™ MOSFET kan modstå over 2000 V HBM stødstrømbelastning.

UniFET™ MOSFET er velegnet til skiftestrømkonvertere som f.eks. effektfaktorkorrektion (PFC), fladskærm (FPD) TV effekt, ATX (Advanced Technology eXtended) og elektroniske lampeforkoblinger.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links