onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 33 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, UltraFET Nej HUF76423P3

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 267,20

(ekskl. moms)

Kr. 334,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 550 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 +Kr. 5,344Kr. 267,20

*Vejledende pris

RS-varenummer:
145-5464
Producentens varenummer:
HUF76423P3
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

33A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

UltraFET

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

38mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

85W

Gennemgangsspænding Vf

1.25V

Portkildespænding maks.

16 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

28nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

10.67mm

Højde

16.3mm

Bredde

4.7 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor


UItraFET® Trench MOSFET kombinerer egenskaber, der muliggør benchmark effektivt i strømkonverteringsprogrammer. Enheden kan modstå høj energi i avalanche-tilstand, og dioden fremviser meget lav omvendt genopretningstid og oplagret spænding. Optimeret til effektivitet ved høje frekvenser, laveste RDS(on), lav ESR og lav total og Miller gate-opladning.

Anvendelse i højfrekvente DC til DC konvertere, switching-regulatorer, motorstyringer, lavspændings bus-kontakter og strømstyring.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links