Infineon N-Kanal, MOSFET, 69 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 2
- RS-varenummer:
- 145-8707
- Producentens varenummer:
- IPP12CN10LGXKSA1
- Brand:
- Infineon
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme 10%
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 307,90
(ekskl. moms)
Kr. 384,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 6,158 | Kr. 307,90 | - |
| 100 - 200 | Kr. 5,541 | Kr. 277,05 | 10% |
| 250 + | Kr. 4,967 | Kr. 248,35 | 19% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 145-8707
- Producentens varenummer:
- IPP12CN10LGXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 69A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 15.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 58nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.57mm | |
| Højde | 15.95mm | |
| Længde | 10.36mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 69A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 15.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 58nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.57mm | ||
Højde 15.95mm | ||
Længde 10.36mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET serien
Infineons OptiMOS™2 N-kanal-serie har branchens laveste modstand i ledetilstand inden for deres spændingsgruppe. Power MOSFET serien kan bruges til mange formål herunder højfrekvent telekommunikation, datakommunikation, solceller, lavvolts-drev og server-strømforsyninger. OptiMOS 2 produktserien dækker fra 20 V og derover samt har et udvalg af forskellige hustyper.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 69 A 100 V Forbedring TO-220, OptiMOS 2
- Infineon N-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-220, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 70 A 40 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 88 A 200 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 83 A 150 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 61 A 250 V Forbedring TO-220, OptiMOS FD
- Infineon N-Kanal 70 A 30 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3