onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 20 A 30 V Forbedring, 8 Ben, MLP8, PowerTrench
- RS-varenummer:
- 146-2078
- Producentens varenummer:
- FDMC6679AZ
- Brand:
- onsemi
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 146-2078
- Producentens varenummer:
- FDMC6679AZ
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | MLP8 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 41W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 65nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.3mm | |
| Standarder/godkendelser | Lead-Free and RoHS | |
| Højde | 0.75mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype MLP8 | ||
Serie PowerTrench | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 41W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 65nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.3mm | ||
Standarder/godkendelser Lead-Free and RoHS | ||
Højde 0.75mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
PowerTrench® P-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFET'er er optimerede strømkontakter, der forøger systemets effektivitet og effekttæthed. De kombinerer lille gate-opladning (Qg), lille omvendt genoprettelsesstrøm (Qrr) og blød omvendt genopretnings-husdiode, som bidrager til hurtigt skift af synkron ensretning i AC/DC-strømforsyninger.
De nyeste PowerTrench® MOSFET'er anvender skærmet gate-struktur, der sikrer ladebalance. Ved at udnytte denne avancerede teknologi er FOM (Figure of Merit) for disse enheder betydeligt lavere end i tidligere generationer.
Blød husdiode-ydeevne for PowerTrench® MOSFET'er er i stand til at eliminere dæmperkredsløb eller erstatte en MOSFET med højere nominel spænding.
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
Relaterede links
- onsemi Type P-Kanal 20 A 30 V Forbedring MLP8, PowerTrench
- onsemi Type P-Kanal 5.3 A 30 V Forbedring SOIC, PowerTrench
- onsemi Type P-Kanal 13 A 30 V Forbedring SOIC, PowerTrench
- onsemi Type P-Kanal 20 A 30 V Forbedring SOIC, PowerTrench
- onsemi Type P-Kanal 11 A 30 V Forbedring SOIC, PowerTrench
- onsemi Type P-Kanal 8.8 A 30 V Forbedring SOIC, PowerTrench
- onsemi Type P-Kanal 50 A 40 V Forbedring TO-252, PowerTrench
- onsemi Type P-Kanal 3.4 A 30 V Forbedring SOT-223, PowerTrench