onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 20 A 30 V Forbedring, 8 Ben, MLP8, PowerTrench

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 9.162,00

(ekskl. moms)

Kr. 11.454,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 18.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 3,054Kr. 9.162,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
146-2078
Producentens varenummer:
FDMC6679AZ
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

20A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

PowerTrench

Emballagetype

MLP8

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

10mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

41W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

65nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

0.75mm

Standarder/godkendelser

Lead-Free and RoHS

Længde

3.3mm

Bilindustristandarder

Nej

PowerTrench® P-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFET'er er optimerede strømkontakter, der forøger systemets effektivitet og effekttæthed. De kombinerer lille gate-opladning (Qg), lille omvendt genoprettelsesstrøm (Qrr) og blød omvendt genopretnings-husdiode, som bidrager til hurtigt skift af synkron ensretning i AC/DC-strømforsyninger.

De nyeste PowerTrench® MOSFET'er anvender skærmet gate-struktur, der sikrer ladebalance. Ved at udnytte denne avancerede teknologi er FOM (Figure of Merit) for disse enheder betydeligt lavere end i tidligere generationer.

Blød husdiode-ydeevne for PowerTrench® MOSFET'er er i stand til at eliminere dæmperkredsløb eller erstatte en MOSFET med højere nominel spænding.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.