IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 80 A 250 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HiperFET Nej IXFA80N25X3
- RS-varenummer:
- 146-4231
- Producentens varenummer:
- IXFA80N25X3
- Brand:
- IXYS
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 2.399,15
(ekskl. moms)
Kr. 2.998,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 200 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 + | Kr. 47,983 | Kr. 2.399,15 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 146-4231
- Producentens varenummer:
- IXFA80N25X3
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 250V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HiperFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 16mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 83nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 390W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.4V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 11.05 mm | |
| Længde | 10.41mm | |
| Højde | 4.83mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 250V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HiperFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 16mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 83nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 390W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.4V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 11.05 mm | ||
Længde 10.41mm | ||
Højde 4.83mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Laveste modstand i aktiveret tilstand RDS(ON) og gate-opladning Qg
Hurtig blødt genoprettende husdiode dv/dt-robusthed
Uovertrufne lavineegenskaber
Pakker iht. international standard
Batteriladere til lette elektriske køretøjer
Synkron ensretning i switching mode-strømforsyninger
Motorstyring
Dc-dc konvertere
Nødstrømsforsyninger (UPS)
Elektriske gaffeltrucks
Klasse-D audioforstærkere
Telekommunikationssystemer
Høj effektivitet
Høj effekttæthed
Forbedret systempålidelighed
Nemme at designe med
200 MHz/330 DMIPS, MIPS32 microAptiv kerne
2-panels Flash til Live Update-understøttelse
12-bit, 18 MSPS, 45-kanals ADC-modul (analog-til-digital)
Memory Management Unit for optimal embedded OS-udførelse
microMIPS-tilstand for op til 35 % kodekompression
CAN, UART, I2C, PMP, EBI, SQI og analoge komparatorer
SPI/I2S-interfaces til lydbehandling og afspilning
Højhastigheds USB-enhed/vært/On-The-Go (OTG)
10/100 Mbit/s Ethernet MAC med MII- og RMII-interface
Avanceret hukommelsesbeskyttelse
2 MB flash-hukommelse (plus en ekstra 160 KB boot-flash)
640 KB SRAM-hukommelse
Relaterede links
- IXYS Type N-Kanal 80 A 250 V Forbedring TO-263, HiperFET Nej
- IXYS Type N-Kanal 80 A 250 V Forbedring TO-220, HiperFET Nej
- IXYS Type N-Kanal 80 A 250 V Forbedring TO-220, HiperFET Nej IXFP80N25X3
- IXYS Type N-Kanal 80 A 250 V Forbedring TO-247, HiperFET Nej
- IXYS Type N-Kanal 80 A 250 V Forbedring TO-247, HiperFET Nej IXFH80N25X3
- IXYS Type N-Kanal 80 A 650 V Forbedring TO-247, HiperFET Nej IXFH80N65X2
- IXYS 1 Type N-Kanal Enkelt 132 A 250 V Forbedring SMPD HiperFET MMIX1F180N25T
- IXYS Type N-Kanal 48 A 500 V Forbedring TO-264, HiperFET Nej