IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-268, HiperFET
- RS-varenummer:
- 146-4378
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-53-402
- Producentens varenummer:
- IXFT60N65X2HV
- Brand:
- IXYS
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 95,52
(ekskl. moms)
Kr. 119,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 17 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 95,52 |
| 5 - 9 | Kr. 90,13 |
| 10 + | Kr. 86,99 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 146-4378
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-53-402
- Producentens varenummer:
- IXFT60N65X2HV
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | HiperFET | |
| Emballagetype | TO-268 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 52mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 780W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 108nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.4V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 16.05mm | |
| Højde | 5.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie HiperFET | ||
Emballagetype TO-268 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 52mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 780W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 108nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.4V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 16.05mm | ||
Højde 5.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Lav RDS(ON) og Qg
Fast husdiode
dv/dt-robusthed
Avalanche nominel
Lav pakkeselvinduktion
Pakker iht. international standard
Resonans mode-strømforsyninger
HID-lampeballast (High intensity discharge)
AC- og DC-motordrev
Dc-dc konvertere
Robot- og servoregulering
Batteriladere
3-niveau solarinvertere
LED-belysning
Ubemandede luftfartøjer (UAV'er)
Højere effektivitet
Høj effekttæthed
Nem at montere
Pladsbesparelser
Relaterede links
- IXYS Type N-Kanal 60 A 650 V Forbedring TO-268, HiperFET
- IXYS Type N-Kanal 60 A 650 V Forbedring TO-247, HiperFET
- IXYS Type N-Kanal 170 A 650 V Forbedring SOT-227, HiperFET
- IXYS Type N-Kanal 145 A 650 V Forbedring SOT-227, HiperFET
- IXYS Type N-Kanal 80 A 650 V Forbedring TO-247, HiperFET
- IXYS Type N-Kanal 22 A 650 V Forbedring TO-263 X2-Class
- IXYS Type N-Kanal 100 A 650 V Forbedring TO-264 X2-Class
- IXYS Type N-Kanal 46 A 650 V Forbedring TO-247 X2-Class