IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-268, HiperFET Nej IXFT60N65X2HV

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 1.278,60

(ekskl. moms)

Kr. 1.598,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 25. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 +Kr. 42,62Kr. 1.278,60

*Vejledende pris

RS-varenummer:
146-4235
Producentens varenummer:
IXFT60N65X2HV
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

HiperFET

Emballagetype

TO-268

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

52mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

108nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

780W

Gennemgangsspænding Vf

1.4V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

5.1mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

15.15 mm

Længde

16.05mm

Bilindustristandarder

Nej

Lav RDS(ON) og Qg

Fast husdiode

dv/dt-robusthed

Avalanche nominel

Lav pakkeselvinduktion

Pakker iht. international standard

Resonans mode-strømforsyninger

HID-lampeballast (High intensity discharge)

AC- og DC-motordrev

Dc-dc konvertere

Robot- og servoregulering

Batteriladere

3-niveau solarinvertere

LED-belysning

Ubemandede luftfartøjer (UAV'er)

Højere effektivitet

Høj effekttæthed

Nem at montere

Pladsbesparelser

Relaterede links