IXYS N-Kanal, MOSFET, 34 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, X2-Class
- RS-varenummer:
- 146-1788
- Producentens varenummer:
- IXFH34N65X2
- Brand:
- IXYS
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 1.042,11
(ekskl. moms)
Kr. 1.302,63
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 + | Kr. 34,737 | Kr. 1.042,11 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 146-1788
- Producentens varenummer:
- IXFH34N65X2
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 34A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | HiperFET, X2-Class | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 100mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 56nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.4V | |
| Portkildespænding maks. | -30V, +30V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 540W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 16.24mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 21.45mm | |
| Højde | 5.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 34A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie HiperFET, X2-Class | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 100mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 56nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.4V | ||
Portkildespænding maks. -30V, +30V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 540W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 16.24mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 21.45mm | ||
Højde 5.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- US
N-kanal power-MOSFET, IXYS HiPerFET™ X2 serien
Serien IXYS X2 klasse HiPerFET Power MOSFET giver betydelig reduktion på modstand og portopladning sammenlignet med tidligere generationer af power MOSFET'er ved at medføre reducerede tab og højere driftseffektivitet. Disse robuste enheder har indbygget en forbedret egensikker højhastighedsdiode og er velegnede til både hårde skift og anvendelser ved resonant driftstilstand. X2 klasse Power MOSFET'er findes i en række forskellige pakker i industriel standard inklusive isolerede typer med effekter på op til 120 A ved 650 V. Typiske anvendelser omfatter DC-DC-konvertere, AC og DC motordrev, switch-mode- og resonans-mode-strømforsyninger, DC-snittere, solcelleomformere, temperatur- og lysstyring.
Meget lav RDS (til) og QG (portopladning)
Hurtig, egensikker ensretterdiode
Lav egensikker portmodstand
Lav pakkeselvinduktion
Huse i industristandard
MOSFET-transistorer, IXYS
EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS
Relaterede links
- IXYS N-Kanal 34 A 650 V Forbedring TO-247 X2-Class
- IXYS N-Kanal 46 A 650 V Forbedring TO-247 X2-Class
- IXYS N-Kanal 34 A 650 V Forbedring TO-247, X2-Class
- IXYS N-Kanal 22 A 650 V Forbedring TO-263 X2-Class
- IXYS N-Kanal 100 A 650 V Forbedring TO-264 X2-Class
- IXYS N-Kanal 80 A 650 V Forbedring TO-247, X2-Class
- IXYS N-Kanal 48 A 650 V Forbedring TO-247, X2-Class
- IXYS N-Kanal 62 A 650 V Forbedring TO-247, X2-Class