IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 48 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, X2-Class Nej
- RS-varenummer:
- 168-4810
- Producentens varenummer:
- IXTH48N65X2
- Brand:
- IXYS
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 1.383,27
(ekskl. moms)
Kr. 1.729,08
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 30 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 + | Kr. 46,109 | Kr. 1.383,27 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-4810
- Producentens varenummer:
- IXTH48N65X2
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 48A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | X2-Class | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 65mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.4V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 76nC | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 660W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 16.13mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 5.21mm | |
| Bredde | 21.34 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 48A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie X2-Class | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 65mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.4V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 76nC | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 660W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 16.13mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 5.21mm | ||
Bredde 21.34 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- US
N-kanal Power-MOSFET, IXYS X2-Class serien
Serien IXYS X2 klasse Power MOSFET giver betydelig reduktion på modstand og portopladning sammenlignet med tidligere generationer af power MOSFET'er, og dette medfører reducerede tab og højere driftseffektivitet. Disse robuste enheder har indbygget en egensikker diode og er velegnede til både hårde skift og anvendelser ved resonant driftstilstand. X2 klasse Power MOSFET'er findes i en række forskellige pakker i industriel standard inklusive isolerede typer med effekter på op til 120 A ved 650 V. Typiske anvendelser omfatter DC-DC-konvertere, AC og DC motordrev, switch-mode- og resonans-mode-strømforsyninger, DC-snittere, solcelleomformere, temperatur- og lysstyring.
Meget lav RDS (til) og QG (portopladning)
Egensikker ensretterdiode
Lav egensikker portmodstand
Lav pakkeselvinduktion
Huse i industristandard
MOSFET-transistorer, IXYS
EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS
Relaterede links
- IXYS Type N-Kanal 48 A 650 V Forbedring TO-247, X2-Class Nej IXTH48N65X2
- IXYS Type N-Kanal 62 A 650 V Forbedring TO-247, X2-Class Nej
- IXYS Type N-Kanal 34 A 650 V Forbedring TO-247, X2-Class Nej
- IXYS Type N-Kanal 80 A 650 V Forbedring TO-247, X2-Class Nej
- IXYS Type N-Kanal 34 A 650 V Forbedring TO-247, X2-Class Nej IXTH34N65X2
- IXYS Type N-Kanal 62 A 650 V Forbedring TO-247, X2-Class Nej IXTH62N65X2
- IXYS Type N-Kanal 80 A 650 V Forbedring TO-247, X2-Class Nej IXTH80N65X2
- IXYS N-Kanal 12 A 650 V TO-247, X2-Class IXTH12N65X2