IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 48 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, X2-Class

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 1.383,27

(ekskl. moms)

Kr. 1.729,08

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 60 enhed(er) afsendes fra 16. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 +Kr. 46,109Kr. 1.383,27

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-4810
Producentens varenummer:
IXTH48N65X2
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

48A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

X2-Class

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

65mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

660W

Gennemgangsspænding Vf

1.4V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

76nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

16.13mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

5.21mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
US

N-kanal Power-MOSFET, IXYS X2-Class serien


Serien IXYS X2 klasse Power MOSFET giver betydelig reduktion på modstand og portopladning sammenlignet med tidligere generationer af power MOSFET'er, og dette medfører reducerede tab og højere driftseffektivitet. Disse robuste enheder har indbygget en egensikker diode og er velegnede til både hårde skift og anvendelser ved resonant driftstilstand. X2 klasse Power MOSFET'er findes i en række forskellige pakker i industriel standard inklusive isolerede typer med effekter på op til 120 A ved 650 V. Typiske anvendelser omfatter DC-DC-konvertere, AC og DC motordrev, switch-mode- og resonans-mode-strømforsyninger, DC-snittere, solcelleomformere, temperatur- og lysstyring.

Meget lav RDS (til) og QG (portopladning)

Egensikker ensretterdiode

Lav egensikker portmodstand

Lav pakkeselvinduktion

Huse i industristandard

MOSFET-transistorer, IXYS


EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.