IXYS 1 Type N, Type N-Kanal Enkelt, MOSFET, 12 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, X2-Class

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 874,20

(ekskl. moms)

Kr. 1.092,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 +Kr. 29,14Kr. 874,20

*Vejledende pris

RS-varenummer:
146-1786
Producentens varenummer:
IXTH12N65X2
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N, Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

12A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-247

Serie

X2-Class

Monteringstype

Hulmontering, Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

300mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

180W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

17.7nC

Gennemgangsspænding Vf

1.4V

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Enkelt

Standarder/godkendelser

No

Længde

16.24mm

Højde

5.3mm

Antal elementer per chip

1

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
US

N-kanal-effekt-MOSFET, IXYS X2-Class-serien


IXYS X2-klasse Power MOSFET-serien tilbyder betydeligt reduceret modstand og gate-ladning sammenlignet med tidligere generationer af Power MOSFET'er, hvilket resulterer i reducerede tab og højere driftseffektivitet. Disse robuste enheder indeholder en egendiode og er velegnede til både hård kobling og resonanstilstandsanvendelser. Effekt-MOSFET'er i X2-klassen fås i en lang række industristandardpakker, herunder isolerede typer, med mærkeværdier på op til 120 A ved 650 V. Typiske anvendelser omfatter DC-DC-omformere, AC- og DC-motordrev, switch-mode- og resonansstrømforsyninger, DC-chopper, solcelleinvertere, temperatur- og belysningsstyring.

Meget lav RDS(on) og QG (gate charge)

Intrinsisk ensretterdiode

Lav indbygget gatemodstand

Lav husinduktivitet

Industristandardhuse

MOSFET-transistorer, IXYS


Et bredt udvalg af avancerede diskrete effekt-MOSFET-enheder fra IXYS

Relaterede links