IXYS N-Kanal, MOSFET, 48 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, X2-Class
- RS-varenummer:
- 917-1410
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-53-424
- Producentens varenummer:
- IXTH48N65X2
- Brand:
- IXYS
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 73,08
(ekskl. moms)
Kr. 91,35
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 13 enhed(er) afsendes fra 26. oktober 2026
- Plus 60 enhed(er) afsendes fra 18. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 73,08 |
| 5 - 9 | Kr. 67,39 |
| 10 - 59 | Kr. 64,03 |
| 60 - 179 | Kr. 58,42 |
| 180 + | Kr. 52,96 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 917-1410
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-53-424
- Producentens varenummer:
- IXTH48N65X2
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 48A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | X2-Class | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 65mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 660W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.4V | |
| Portkildespænding maks. | -30V, +30V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 76nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 16.13mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 21.34mm | |
| Højde | 5.21mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 48A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie X2-Class | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 65mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 660W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.4V | ||
Portkildespænding maks. -30V, +30V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 76nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 16.13mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 21.34mm | ||
Højde 5.21mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power-MOSFET, IXYS X2-Class serien
Serien IXYS X2 klasse Power MOSFET giver betydelig reduktion på modstand og portopladning sammenlignet med tidligere generationer af power MOSFET'er, og dette medfører reducerede tab og højere driftseffektivitet. Disse robuste enheder har indbygget en egensikker diode og er velegnede til både hårde skift og anvendelser ved resonant driftstilstand. X2 klasse Power MOSFET'er findes i en række forskellige pakker i industriel standard inklusive isolerede typer med effekter på op til 120 A ved 650 V. Typiske anvendelser omfatter DC-DC-konvertere, AC og DC motordrev, switch-mode- og resonans-mode-strømforsyninger, DC-snittere, solcelleomformere, temperatur- og lysstyring.
Meget lav RDS (til) og QG (portopladning)
Egensikker ensretterdiode
Lav egensikker portmodstand
Lav pakkeselvinduktion
Huse i industristandard
MOSFET-transistorer, IXYS
EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS
Relaterede links
- IXYS N-Kanal 48 A 650 V Forbedring TO-247, X2-Class
- IXYS N-Kanal 80 A 650 V Forbedring TO-247, X2-Class
- IXYS N-Kanal 34 A 650 V Forbedring TO-247, X2-Class
- IXYS N-Kanal 62 A 650 V Forbedring TO-247, X2-Class
- IXYS N-Kanal 46 A 650 V Forbedring TO-247 X2-Class
- IXYS N-Kanal 34 A 650 V Forbedring TO-247 X2-Class
- IXYS 1 N-Kanal Enkelt 12 A 650 V Forbedring TO-247, X2-Class
- IXYS N-Kanal 120 A 650 V Forbedring PLUS247, X2-Class