IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 48 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, X2-Class
- RS-varenummer:
- 917-1410
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-53-424
- Producentens varenummer:
- IXTH48N65X2
- Brand:
- IXYS
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 73,08
(ekskl. moms)
Kr. 91,35
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 59 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 73,08 |
| 5 - 9 | Kr. 67,39 |
| 10 - 59 | Kr. 64,03 |
| 60 - 179 | Kr. 58,42 |
| 180 + | Kr. 52,96 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 917-1410
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-53-424
- Producentens varenummer:
- IXTH48N65X2
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 48A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | X2-Class | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 65mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 76nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 660W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.4V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 16.13mm | |
| Højde | 5.21mm | |
| Bredde | 21.34 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 48A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie X2-Class | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 65mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 76nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 660W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.4V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 16.13mm | ||
Højde 5.21mm | ||
Bredde 21.34 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power-MOSFET, IXYS X2-Class serien
Serien IXYS X2 klasse Power MOSFET giver betydelig reduktion på modstand og portopladning sammenlignet med tidligere generationer af power MOSFET'er, og dette medfører reducerede tab og højere driftseffektivitet. Disse robuste enheder har indbygget en egensikker diode og er velegnede til både hårde skift og anvendelser ved resonant driftstilstand. X2 klasse Power MOSFET'er findes i en række forskellige pakker i industriel standard inklusive isolerede typer med effekter på op til 120 A ved 650 V. Typiske anvendelser omfatter DC-DC-konvertere, AC og DC motordrev, switch-mode- og resonans-mode-strømforsyninger, DC-snittere, solcelleomformere, temperatur- og lysstyring.
Meget lav RDS (til) og QG (portopladning)
Egensikker ensretterdiode
Lav egensikker portmodstand
Lav pakkeselvinduktion
Huse i industristandard
MOSFET-transistorer, IXYS
EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS
Relaterede links
- IXYS Type N-Kanal 48 A 650 V Forbedring TO-247, X2-Class Nej
- IXYS Type N-Kanal 62 A 650 V Forbedring TO-247, X2-Class Nej
- IXYS Type N-Kanal 34 A 650 V Forbedring TO-247, X2-Class Nej
- IXYS Type N-Kanal 80 A 650 V Forbedring TO-247, X2-Class Nej
- IXYS Type N-Kanal 34 A 650 V Forbedring TO-247, X2-Class Nej IXTH34N65X2
- IXYS Type N-Kanal 62 A 650 V Forbedring TO-247, X2-Class Nej IXTH62N65X2
- IXYS Type N-Kanal 80 A 650 V Forbedring TO-247, X2-Class Nej IXTH80N65X2
- IXYS N-Kanal 12 A 650 V TO-247, X2-Class IXTH12N65X2