IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-264
- RS-varenummer:
- 917-1429P
- Producentens varenummer:
- IXFK100N65X2
- Brand:
- IXYS
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 2 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 263,90
(ekskl. moms)
Kr. 329,88
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 193 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 2 - 4 | Kr. 131,95 |
| 5 - 9 | Kr. 125,14 |
| 10 + | Kr. 122,37 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 917-1429P
- Producentens varenummer:
- IXFK100N65X2
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-264 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 30mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.04kW | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.4V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 183nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 5.3mm | |
| Bredde | 26.3 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 20.3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-264 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 30mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.04kW | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.4V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 183nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 5.3mm | ||
Bredde 26.3 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 20.3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal power-MOSFET, IXYS HiPerFET™ X2 serien
Serien IXYS X2 klasse HiPerFET Power MOSFET giver betydelig reduktion på modstand og portopladning sammenlignet med tidligere generationer af power MOSFET'er ved at medføre reducerede tab og højere driftseffektivitet. Disse robuste enheder har indbygget en forbedret egensikker højhastighedsdiode og er velegnede til både hårde skift og anvendelser ved resonant driftstilstand. X2 klasse Power MOSFET'er findes i en række forskellige pakker i industriel standard inklusive isolerede typer med effekter på op til 120 A ved 650 V. Typiske anvendelser omfatter DC-DC-konvertere, AC og DC motordrev, switch-mode- og resonans-mode-strømforsyninger, DC-snittere, solcelleomformere, temperatur- og lysstyring.
Meget lav RDS (til) og QG (portopladning)
Hurtig, egensikker ensretterdiode
Lav egensikker portmodstand
Lav pakkeselvinduktion
Huse i industristandard
MOSFET-transistorer, IXYS
EN bred vifte af avancerede MOSFET-enheder med diskret effekt fra IXYS
Relaterede links
- IXYS Type N-Kanal 100 A 650 V Forbedring TO-264 Nej IXFK100N65X2
- IXYS Type N-Kanal 100 A 650 V Forbedring TO-264 Nej
- IXYS Type N-Kanal 120 A 650 V Forbedring TO-264, X2-Class Nej
- IXYS Type N-Kanal 120 A 650 V Forbedring TO-264, X2-Class Nej IXTK120N65X2
- IXYS Type N-Kanal 150 A 300 V Forbedring TO-264 Nej
- IXYS Type N-Kanal 26 A 1200 V Forbedring TO-264 Nej
- IXYS Type N-Kanal 120 A 300 V Forbedring TO-264 Nej
- IXYS Type N-Kanal 27 A 800 V Forbedring TO-264 Nej