IXYS Type N-Kanal, MOSFET, 60 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, HiperFET Nej IXFH60N65X2
- RS-varenummer:
- 146-4234
- Producentens varenummer:
- IXFH60N65X2
- Brand:
- IXYS
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 1.787,04
(ekskl. moms)
Kr. 2.233,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 270 enhed(er) afsendes fra 12. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | Kr. 59,568 | Kr. 1.787,04 |
| 150 - 270 | Kr. 54,863 | Kr. 1.645,89 |
| 300 + | Kr. 53,492 | Kr. 1.604,76 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 146-4234
- Producentens varenummer:
- IXFH60N65X2
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 60A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | HiperFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 52mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.4V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | ±30 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 108nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 780W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 16.13mm | |
| Højde | 21.34mm | |
| Bredde | 5.21 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 60A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie HiperFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 52mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.4V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. ±30 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 108nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 780W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 16.13mm | ||
Højde 21.34mm | ||
Bredde 5.21 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Lav R og Q
Avalanche-normeret
Lav pakkeselvinduktion
Fordele
Høj effekttæthed
Nem at montere
Pladsbesparelse
Anvendelsesområder
Switch-mode og resonant-mode strømforsyninger
DC/DC-konvertere
PFC-kredsløb
AC- og DC-motordrev
Robotter og servostyring
Relaterede links
- IXYS Type N-Kanal 60 A 650 V Forbedring TO-247, HiperFET Nej
- IXYS Type N-Kanal 80 A 650 V Forbedring TO-247, HiperFET Nej IXFH80N65X2
- IXYS Type N-Kanal 60 A 650 V Forbedring TO-268, HiperFET Nej
- IXYS Type N-Kanal 60 A 650 V Forbedring TO-268, HiperFET Nej IXFT60N65X2HV
- IXYS Type N-Kanal 80 A 250 V Forbedring TO-247, HiperFET Nej
- IXYS Type N-Kanal 80 A 250 V Forbedring TO-247, HiperFET Nej IXFH80N25X3
- IXYS Type N-Kanal 145 A 650 V Forbedring SOT-227, HiperFET Nej
- IXYS Type N-Kanal 170 A 650 V Forbedring SOT-227, HiperFET Nej
