ROHM N-Kanal, MOSFET, 5,9 A 1700 V, 2 + Tab ben, TO-268 SCT2750NYTB

Brand

ROHM

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

5,9 A

Drain source spænding maks.

1700 V

Kapslingstype

TO-268

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

2 + Tab

Drain source modstand maks.

1,088 Ω

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

4V

Mindste tærskelspænding for port

1.6V

Effektafsættelse maks.

57 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

22 V

Længde

15.95mm

Transistormateriale

SiC

Driftstemperatur maks.

+175 °C

Gate-ladning ved Vgs typisk

17 nC ved 18 V

Antal elementer per chip

1

Bredde

13.9mm

Højde

5mm