Wolfspeed Type N-Kanal, MOSFET, 22 A 1 kV Forbedring, 8 Ben, TO-263, C3M
- RS-varenummer:
- 150-3965
- Producentens varenummer:
- C3M0120100J
- Brand:
- Wolfspeed
Indhold (1 enhed)*
Kr. 73,60
(ekskl. moms)
Kr. 92,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 656 enhed(er) afsendes fra 19. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 73,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 150-3965
- Producentens varenummer:
- C3M0120100J
- Brand:
- Wolfspeed
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Wolfspeed | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 22A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1kV | |
| Serie | C3M | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 170mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 21.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 4.8V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 83W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.32mm | |
| Længde | 10.23mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Wolfspeed | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 22A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1kV | ||
Serie C3M | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 170mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 21.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 4.8V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 83W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.32mm | ||
Længde 10.23mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Wolfspeed introducerer sit seneste gennembrud i SiC effektenhedsteknologi med branchens eneste 1 kV SiC MOSFET i et nyt optimeret hus, der er velegnet til hurtigtskiftende enheder. Den nye 1 kV enhed er optimeret til elektriske køretøjers opladningssystemer og 3-fasede industrielle strømforsyninger og adresserer mange designudfordringer ved at levere en unik enhed med lav aktiv modstand, meget lav udgangskapacitet og lav kildeinduktion til en perfekt blanding af lave koblingstab og lave ledningstab.
Mindst 1 kV Vbr over hele driftstemperaturområdet
Hus med kildeinduktion og separat driverkildeben
High-speed switching med lav udgangskapacitet
Høj blokeringsspænding med lav RDS(on)
Hurtig egensikker diode med lav omvendt genoprettelse (Qrr)
Nemt at forbinde parallelt og enkle at drive