Wolfspeed N-Kanal, MOSFET, 22 A 1 kV Forbedring, 8 Ben, TO-263, C3M
- RS-varenummer:
- 150-3965P
- Producentens varenummer:
- C3M0120100J
- Brand:
- Wolfspeed
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 150-3965P
- Producentens varenummer:
- C3M0120100J
- Brand:
- Wolfspeed
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Wolfspeed | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 22A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1kV | |
| Serie | C3M | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 170mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 4.8V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | +15V, +9V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 21.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 83W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.32mm | |
| Længde | 10.23mm | |
| Bredde | 9.12mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Wolfspeed | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 22A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1kV | ||
Serie C3M | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 170mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 4.8V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. +15V, +9V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 21.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 83W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.32mm | ||
Længde 10.23mm | ||
Bredde 9.12mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Wolfspeed introducerer sit seneste gennembrud i SiC effektenhedsteknologi med branchens eneste 1 kV SiC MOSFET i et nyt optimeret hus, der er velegnet til hurtigtskiftende enheder. Den nye 1 kV enhed er optimeret til elektriske køretøjers opladningssystemer og 3-fasede industrielle strømforsyninger og adresserer mange designudfordringer ved at levere en unik enhed med lav aktiv modstand, meget lav udgangskapacitet og lav kildeinduktion til en perfekt blanding af lave koblingstab og lave ledningstab.
Mindst 1 kV Vbr over hele driftstemperaturområdet
Hus med kildeinduktion og separat driverkildeben
High-speed switching med lav udgangskapacitet
Høj blokeringsspænding med lav RDS(on)
Hurtig egensikker diode med lav omvendt genoprettelse (Qrr)
Nemt at forbinde parallelt og enkle at drive