Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 76 A 60 V Forbedring, 5 Ben, LFPAK
- RS-varenummer:
- 152-5537
- Producentens varenummer:
- PSMN8R5-60YS,115
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 274,15
(ekskl. moms)
Kr. 342,70
(inkl. moms)
Tilføj 50 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 31. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | Kr. 10,966 | Kr. 274,15 |
| 125 - 225 | Kr. 7,678 | Kr. 191,95 |
| 250 - 600 | Kr. 6,69 | Kr. 167,25 |
| 625 - 1225 | Kr. 6,361 | Kr. 159,03 |
| 1250 + | Kr. 6,032 | Kr. 150,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 152-5537
- Producentens varenummer:
- PSMN8R5-60YS,115
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 76A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | LFPAK | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 18.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 39nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 106W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 4.1 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5mm | |
| Højde | 1.05mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 76A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype LFPAK | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 18.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 39nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 106W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 4.1 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5mm | ||
Højde 1.05mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanals MOSFET'er 40 V - 60 V, MOSFET'er på logik- og standardniveau i et udvalg af huse. Prøve af vores robuste og brugervenlige MOSFET'er i området 40 V til 60 V, der er en del af vores massive MOSFET-enhedsportefølje. De er perfekte til anvendelser med begrænset plads og strøm, og de har fremragende skifteevne og sikkert arbejdsområde (SOA), der er førende i sin klasse.
N-kanals LFPAK 60 V, 8 mΩ MOSFET på standardniveau, N-kanals MOSFET på standardniveau i LFPAK-hus kvalificeret til 175 °C. Dette produkt er designet og godkendt til brug i en bred vifte af industrielt udstyr, kommunikationsudstyr og husholdningsapparater.
Avanceret TrenchMOS giver lav RDSon og lav gate-opladning
Meget effektiv forstærkning i switch-mode konvertere
Bedre mekaniske og termiske egenskaber
LFPAK giver maksimal effekttæthed i et SO8-strømhus
DC-til-DC-konvertere
Litium-ion batteribeskyttelse
Belastningsomskifter
Motorstyring
Strømforsyninger til servere
Relaterede links
- Nexperia Type N-Kanal 76 A 60 V Forbedring LFPAK
- Nexperia Type N-Kanal 100 A 60 V Forbedring LFPAK
- Nexperia Type N-Kanal 60 A 40 V Forbedring LFPAK, PSM
- Nexperia Type N-Kanal 100 A 60 V Enhancement LFPAK Nej PSMN5R5-60YS,115
- Nexperia Type N-Kanal 44 A 60 V Forbedring SOT-669
- Nexperia Type N-Kanal 100 A 60 V Forbedring SOT-669
- Nexperia Type N-Kanal 89 A 60 V Forbedring SOT-669
- Nexperia Type N-Kanal 59 A 60 V Forbedring SOT-669