Nexperia Type P-Kanal, MOSFET, -5.6 A -20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101 PMV27UPEAR
- RS-varenummer:
- 153-1876
- Producentens varenummer:
- PMV27UPEAR
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 68,075
(ekskl. moms)
Kr. 85,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 3.000 enhed(er) afsendes fra 20. maj 2026
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 27. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | Kr. 2,723 | Kr. 68,08 |
| 250 - 600 | Kr. 1,418 | Kr. 35,45 |
| 625 - 1225 | Kr. 1,314 | Kr. 32,85 |
| 1250 - 2475 | Kr. 1,278 | Kr. 31,95 |
| 2500 + | Kr. 1,254 | Kr. 31,35 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 153-1876
- Producentens varenummer:
- PMV27UPEAR
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -5.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -20V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 63mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14.7nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 4.15W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3mm | |
| Højde | 1mm | |
| Bredde | 1.4 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -5.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds -20V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 63mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14.7nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 4.15W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3mm | ||
Højde 1mm | ||
Bredde 1.4 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
P-kanals MOSFET'er, det perfekte valg til dit design, når N-kanaler ganske enkelt ikke er velegnede. Vores omfattende MOSFET-katalog indeholder også mange serier med P-kanals enheder, der er baseret på Nexperias førende Trench-teknologi. De har mærkeværdi fra 12 V til 70 V og er kapslet i laveffekts og mediumeffekts huse, og de har vores velkendte blanding af høj effektivitet og høj pålidelighed.
20 V, P-kanals Trench MOSFET, P-kanals Field-Effect Transistor (FET) med optimeret tilstand i et lille overflademonteret (SMD) SOT23-plasthus (TO-236AB) med Trench MOSFET-teknologi.
Trench MOSFET-teknologi
Lav tærskelspænding
Meget hurtigt skift
Forbedret kapacitet med hensyn til effekttab: Ptot = 980 mW
Beskyttelse mod elektrostatisk udladning (ESD) 2 kV HBM
AEC-Q101 kvalificeret
LED-driver
Strømstyring
Højside belastningsafbryder
Koblingskredsløb
Relaterede links
- Nexperia Type P-Kanal -5.6 A -20 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101
- Nexperia Type P-Kanal -3.3 A -20 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101
- Nexperia Type P-Kanal -5.3 A -20 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101
- Nexperia Type P-Kanal -5.3 A -20 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101 PMV30XPEAR
- Nexperia Type P-Kanal -3.3 A -20 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101 PMV65XPEAR
- Nexperia Type P-Kanal 1.5 A 40 V Forbedring SOT-23, PMV250EPEA AEC-Q101
- Nexperia Type P-Kanal 130 mA 50 V Forbedring SOT-23, BSS84 AEC-Q101
- Nexperia Type P-Kanal 2.3 A 20 V Forbedring SOT-23, BSH205G2 AEC-Q101