Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 1.5 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold 25 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 34,10

(ekskl. moms)

Kr. 42,625

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 17. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
25 +Kr. 1,364

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
153-1898P
Producentens varenummer:
PMV230ENEAR
Brand:
Nexperia
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Nexperia

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.5A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

222mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

1.45W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

3.9nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

3mm

Højde

1mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

60 V, N-kanals Trench MOSFET, N-kanals Field-Effect Transistor (FET) med optimeret tilstand i et lille overflademonteret (SMD) SOT23-plasthus (TO-236AB) med Trench MOSFET-teknologi.

Logikniveau-kompatibel

Meget hurtigt skift

Trench MOSFET-teknologi

Beskyttelse mod elektrostatisk udladning (ESD) > 2 kV HBM

AEC-Q101 kvalificeret

Relædriver

Højhastigheds linjedriver

Lavside belastningsafbryder

Koblingskredsløb

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.