Nexperia N-Kanal, MOSFET, 1.5 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 153-1898P
- Producentens varenummer:
- PMV230ENEAR
- Brand:
- Nexperia
Indhold 25 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 34,10
(ekskl. moms)
Kr. 42,625
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.350 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 25 + | Kr. 1,364 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 153-1898P
- Producentens varenummer:
- PMV230ENEAR
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 222mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.9nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.45W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.4mm | |
| Længde | 3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 222mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.9nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.45W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.4mm | ||
Længde 3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
60 V, N-kanals Trench MOSFET, N-kanals Field-Effect Transistor (FET) med optimeret tilstand i et lille overflademonteret (SMD) SOT23-plasthus (TO-236AB) med Trench MOSFET-teknologi.
Logikniveau-kompatibel
Meget hurtigt skift
Trench MOSFET-teknologi
Beskyttelse mod elektrostatisk udladning (ESD) > 2 kV HBM
AEC-Q101 kvalificeret
Relædriver
Højhastigheds linjedriver
Lavside belastningsafbryder
Koblingskredsløb