International Rectifier Type N-Kanal, MOSFET, 4.2 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, IRLML2502
- RS-varenummer:
- 162-3304P
- Producentens varenummer:
- IRLML2502TRPBF
- Brand:
- International Rectifier
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 200 enheder (leveres på en rulle)*
Kr. 324,60
(ekskl. moms)
Kr. 405,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 41.520 enhed(er) afsendes fra 17. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 200 - 480 | Kr. 1,623 |
| 500 - 980 | Kr. 1,511 |
| 1000 - 1980 | Kr. 0,973 |
| 2000 + | Kr. 0,782 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 162-3304P
- Producentens varenummer:
- IRLML2502TRPBF
- Brand:
- International Rectifier
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | International Rectifier | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | IRLML2502 | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 80mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.25W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.04mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.02mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand International Rectifier | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie IRLML2502 | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 80mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.25W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.04mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.02mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Ikke i overensstemmelse med RoHS
20 V enkelt N-kanals HEXFET Power MOSFET i et mikro 3-hus
Benforbindelser iht. industristandard, SOT-23-hus
Kompatibel med eksisterende overflademonterede teknikker, halogenfri
Kompatibel med flere mærker
Lettere produktion
Mere miljøvenlig
Øget pålidelighed
Relaterede links
- International Rectifier Type N-Kanal 4.2 A 20 V Forbedring SOT-23, IRLML2502
- International Rectifier N-Kanal 2 A 55 V SOT-223 AUIRLL014N
- International Rectifier MOSFET 2 A PDIP
- DiodesZetex Type N-Kanal 4.2 A 20 V Forbedring SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 4.2 A 20 V Forbedring SOT-23, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 4.2 A 20 V Forbedring SOT-23, DMG3414U AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 4.2 A 20 V Forbedring SOT-23, DMG2302U AEC-Q101
- Microchip Type P-Kanal 3 Ben TP0610T