onsemi 2 Type P-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 4.1 A 20 V Forbedring, 8 Ben, ChipFET
- RS-varenummer:
- 163-1110
- Producentens varenummer:
- NTHD4102PT1G
- Brand:
- onsemi
Indhold (3000 enheder, på en rulle med 3000)*
Kr. 9.264,00
(ekskl. moms)
Kr. 11.580,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 23. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 3,088 | Kr. 9.264,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 163-1110
- Producentens varenummer:
- NTHD4102PT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | ChipFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 170mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.8V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7.6nC | |
| Portkildespænding maks. | -8, +8V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.1W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | +150°C | |
| Længde | 3.1mm | |
| Bredde | 1.7mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.1mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype ChipFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 170mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.8V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7.6nC | ||
Portkildespænding maks. -8, +8V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.1W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. +150°C | ||
Længde 3.1mm | ||
Bredde 1.7mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.1mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY