STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Forbedring, 3 Ben, H2PAK, STripFET H7
- RS-varenummer:
- 165-6593
- Producentens varenummer:
- STH310N10F7-2
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 22.715,00
(ekskl. moms)
Kr. 28.394,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 4.000 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 22,715 | Kr. 22.715,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-6593
- Producentens varenummer:
- STH310N10F7-2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 180A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | H2PAK | |
| Serie | STripFET H7 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 180nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 315W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.8mm | |
| Længde | 15.8mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 180A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype H2PAK | ||
Serie STripFET H7 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 180nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 315W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.8mm | ||
Længde 15.8mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal STripFET™ H7 serien, STMicroelectronics
STripFET™ mosfet'er med et bredt område for gennemslagsspænding med ekstremt lav gate-opladning og lav aktiv modstand .
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 180 A 100 V Forbedring H2PAK, STripFET H7
- STMicroelectronics Type N-Kanal 180 A 100 V Forbedring H2PAK, STripFET H7
- STMicroelectronics Type N-Kanal 180 A 80 V Forbedring H2PAK, STripFET H7
- STMicroelectronics Type N-Kanal 180 A 100 V Forbedring TO-220, STripFET H7
- STMicroelectronics Type N-Kanal 60 A 100 V Forbedring PowerFLAT, STripFET H7
- STMicroelectronics Type N-Kanal 30 A 100 V Forbedring PowerFLAT, STripFET H7
- STMicroelectronics Type N-Kanal 110 A 100 V Forbedring PowerFLAT, STripFET H7
- STMicroelectronics Type N-Kanal 110 A 100 V Forbedring H2PAK STripFET