Infineon 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 2.4 A 20 V Forbedring, 8 Ben, MSOP, HEXFET
- RS-varenummer:
- 166-0905
- Producentens varenummer:
- IRF7507TRPBF
- Brand:
- Infineon
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 166-0905
- Producentens varenummer:
- IRF7507TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | MSOP | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.40Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.25W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | -12, +12V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.2nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Bredde | 3mm | |
| Standarder/godkendelser | EIA-481, EIA-541, ANSI Y14.5M-1982 | |
| Længde | 3mm | |
| Højde | 0.86mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype MSOP | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.40Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.25W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. -12, +12V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.2nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Bredde 3mm | ||
Standarder/godkendelser EIA-481, EIA-541, ANSI Y14.5M-1982 | ||
Længde 3mm | ||
Højde 0.86mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Dobbelt N/P-kanal Power MOSFET, Infineon
Infineons dual power MOSFET'er integrerer to HEXFET® enheder for at give en pladsbesparende og lønsom koblingsløsning med høj komponenttæthed til konstruktioner, hvor kortets størrelse er afgørende. Et udvalg af kapslinger er tilgængelige og udviklere kan vælge dual N/P-kanal-konfigurationen.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.