onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 460 mA 25 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, UniFET

RS-varenummer:: 166-1711
Producentens varenummer:: FDV304P
Brand:: onsemi

onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 460 mA 25 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, UniFET

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 1.857,00

(ekskl. moms)

Kr. 2.322,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

Plus 27.000 enhed(er) afsendes fra 17. februar 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 - 3000	Kr. 0,619	Kr. 1.857,00
6000 +	Kr. 0,582	Kr. 1.746,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 166-1711
Producentens varenummer:: FDV304P
Brand:: onsemi

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	onsemi
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	460mA
	Drain source spænding maks. Vds	25V
	Serie	UniFET
	Emballagetype	SOT-23
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	1.1Ω
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	8 V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	1.1nC
	Gennemgangsspænding Vf	-1.2V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	350mW
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Bredde	1.3 mm
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	0.93mm
	Længde	2.92mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand onsemi
	Kanaltype Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 460mA
	Drain source spænding maks. Vds 25V
	Serie UniFET
	Emballagetype SOT-23
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 1.1Ω
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. 8 V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.1nC
	Gennemgangsspænding Vf -1.2V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 350mW
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Bredde 1.3 mm
	Standarder/godkendelser No
	Højde 0.93mm
	Længde 2.92mm
	Bilindustristandarder Nej

Forbedringstilstand P-kanal MOSFET, ON on Semiconductor

On Semiconductors-serien af P-kanal MOSFET'er er fremstillet ved hjælp af Semi's navnebeskyttede DMC-teknologi med høj celledensitet. Denne proces med meget høj tæthed er designet til at minimere modstand i tilstanden for at give en robust og pålidelig ydeevne til hurtig omskiftning.

Egenskaber og fordele:

• Spændingsstyret kontakt til lille P-kanal

• tætpakket celledesign

• høj mætningsstrøm

• overlegent skift

• Fantastisk robust og pålidelig ydeevne

• DMOS-teknologi

Anvendelsesområder:

• Belastningsskift

• DC/DC-omformer

• Batteribeskyttelse

• Strømstyring

• styring af DC-motor

MOSFET transistorer, PÅ Semi

På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.