onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 130 mA 50 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, BSS84 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 166-2408
- Producentens varenummer:
- BSS84
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 3.345,00
(ekskl. moms)
Kr. 4.182,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 6.000 enhed(er) afsendes fra 13. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | Kr. 1,115 | Kr. 3.345,00 |
| 6000 - 12000 | Kr. 1,087 | Kr. 3.261,00 |
| 15000 + | Kr. 1,06 | Kr. 3.180,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 166-2408
- Producentens varenummer:
- BSS84
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 130mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 50V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | BSS84 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -65°C | |
| Portkildespænding maks. | -20, +20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250mW | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.9nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.3mm | |
| Længde | 3mm | |
| Højde | 1mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 130mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 50V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie BSS84 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -65°C | ||
Portkildespænding maks. -20, +20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250mW | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.9nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.3mm | ||
Længde 3mm | ||
Højde 1mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
Forbedringstilstand P-kanal MOSFET, ON on Semiconductor
On Semiconductors-serien af P-kanal MOSFET'er er fremstillet ved hjælp af Semi's navnebeskyttede DMC-teknologi med høj celledensitet. Denne proces med meget høj tæthed er designet til at minimere modstand i tilstanden for at give en robust og pålidelig ydeevne til hurtig omskiftning.
Egenskaber og fordele:
• Spændingsstyret kontakt til lille P-kanal
• tætpakket celledesign
• høj mætningsstrøm
• overlegent skift
• Fantastisk robust og pålidelig ydeevne
• DMOS-teknologi
Anvendelsesområder:
• Belastningsskift
• DC/DC-omformer
• Batteribeskyttelse
• Strømstyring
• styring af DC-motor
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.