onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 130 mA 50 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, BSS84 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

RS-varenummer:: 166-2408
Producentens varenummer:: BSS84
Brand:: onsemi

onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 130 mA 50 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, BSS84 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 2.940,00

(ekskl. moms)

Kr. 3.660,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 12. maj 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 - 3000	Kr. 0,98	Kr. 2.940,00
6000 - 12000	Kr. 0,955	Kr. 2.865,00
15000 +	Kr. 0,931	Kr. 2.793,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 166-2408
Producentens varenummer:: BSS84
Brand:: onsemi

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	onsemi
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	130mA
	Drain source spænding maks. Vds	50V
	Emballagetype	SOT-23
	Serie	BSS84
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	10Ω
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	0.9nC
	Min. driftstemperatur	-65°C
	Gennemgangsspænding Vf	-1.2V
	Effektafsættelse maks. Pd	250mW
	Portkildespænding maks.	20 V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	3mm
	Bredde	1.3 mm
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	1mm
	Bilindustristandarder	AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand onsemi
	Kanaltype Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 130mA
	Drain source spænding maks. Vds 50V
	Emballagetype SOT-23
	Serie BSS84
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 10Ω
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.9nC
	Min. driftstemperatur -65°C
	Gennemgangsspænding Vf -1.2V
	Effektafsættelse maks. Pd 250mW
	Portkildespænding maks. 20 V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 3mm
	Bredde 1.3 mm
	Standarder/godkendelser No
	Højde 1mm
	Bilindustristandarder AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

Forbedringstilstand P-kanal MOSFET, ON on Semiconductor

On Semiconductors-serien af P-kanal MOSFET'er er fremstillet ved hjælp af Semi's navnebeskyttede DMC-teknologi med høj celledensitet. Denne proces med meget høj tæthed er designet til at minimere modstand i tilstanden for at give en robust og pålidelig ydeevne til hurtig omskiftning.

Egenskaber og fordele:

• Spændingsstyret kontakt til lille P-kanal

• tætpakket celledesign

• høj mætningsstrøm

• overlegent skift

• Fantastisk robust og pålidelig ydeevne

• DMOS-teknologi

Anvendelsesområder:

• Belastningsskift

• DC/DC-omformer

• Batteribeskyttelse

• Strømstyring

• styring af DC-motor

MOSFET transistorer, PÅ Semi

På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.