onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 13.5 A 20 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, FDS Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 11.002,50

(ekskl. moms)

Kr. 13.752,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 5.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 4,401Kr. 11.002,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
166-2445
Producentens varenummer:
FDS4465
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

13.5A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

SOIC

Serie

FDS

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

9mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

2.5W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

86nC

Portkildespænding maks.

8 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

4 mm

Højde

1.5mm

Længde

5mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Automotive P-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductor tilbyder løsninger, der tager komplekse udfordringer på bilmarkedet op. Med en fuldkommen beherskelse af standarder inden for kvalitet, sikkerhed og pålidelighed.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links