onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 5.8 A 20 V Forbedring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 3.939,00

(ekskl. moms)

Kr. 4.923,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 02. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 1,313Kr. 3.939,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
166-2691
Producentens varenummer:
FDC608PZ
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5.8A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

SOT-23

Serie

PowerTrench

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

43mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

12 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

17nC

Gennemgangsspænding Vf

-0.7V

Effektafsættelse maks. Pd

1.6W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

3mm

Bredde

1.7 mm

Højde

1mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MY

PowerTrench® P-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFET'er er optimerede strømkontakter, der forøger systemets effektivitet og effekttæthed. De kombinerer lille gate-opladning (Qg), lille omvendt genoprettelsesstrøm (Qrr) og blød omvendt genopretnings-husdiode, som bidrager til hurtigt skift af synkron ensretning i AC/DC-strømforsyninger.

De nyeste PowerTrench® MOSFET'er anvender skærmet gate-struktur, der sikrer ladebalance. Ved at udnytte denne avancerede teknologi er FOM (Figure of Merit) for disse enheder betydeligt lavere end i tidligere generationer.

Blød husdiode-ydeevne for PowerTrench® MOSFET'er er i stand til at eliminere dæmperkredsløb eller erstatte en MOSFET med højere nominel spænding.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links