onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 18.5 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench Nej
- RS-varenummer:
- 166-2869
- Producentens varenummer:
- FDS8813NZ
- Brand:
- onsemi
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
- RS-varenummer:
- 166-2869
- Producentens varenummer:
- FDS8813NZ
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 18.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 55nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 3.9 mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Højde | 1.575mm | |
| Længde | 4.9mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie PowerTrench | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 55nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 3.9 mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Højde 1.575mm | ||
Længde 4.9mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
PowerTrench® N-kanal MOSFET, 10 A til 19,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 18 8 ben PowerTrench FDS8813NZ
- onsemi N-Kanal 5.5 A 30 V SOIC, PowerTrench FDS6930B
- onsemi N-Kanal 13 A 30 V SOIC, PowerTrench FDS6670A
- onsemi N-Kanal 11 8 ben PowerTrench FDS8880
- onsemi N-Kanal 9 A 30 V SOIC, PowerTrench FDS6692A
- onsemi N-Kanal 11 A 30 V SOIC, PowerTrench FDS6690A
- onsemi N-Kanal 10.2 A 30 V SOIC, PowerTrench FDS8878
- onsemi N-Kanal 8.5 A 30 V SOIC, PowerTrench FDS8884
