onsemi 2 Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 3.5 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench Nej
- RS-varenummer:
- 166-3363
- Producentens varenummer:
- FDS9945
- Brand:
- onsemi
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 4.160,00
(ekskl. moms)
Kr. 5.200,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 27. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 1,664 | Kr. 4.160,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 166-3363
- Producentens varenummer:
- FDS9945
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Serie | PowerTrench | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 100mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Bredde | 4 mm | |
| Højde | 1.5mm | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Serie PowerTrench | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 100mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Bredde 4 mm | ||
Højde 1.5mm | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
PowerTrench® N-kanal MOSFET, op til 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
Relaterede links
- onsemi N-Kanal 3 8 ben PowerTrench FDS9945
- onsemi N/P-Kanal-Kanal 3 4 8 ben PowerTrench FDS4559
- onsemi N/P-Kanal-Kanal 3 4 8 ben PowerTrench FDS4559-F085
- onsemi N-Kanal 3 8 ben PowerTrench FDS89141
- onsemi N-Kanal 3 8 ben, SOIC NDS9945
- onsemi N-Kanal 12 A 60 V SOIC, PowerTrench FDS5672
- onsemi N-Kanal 18 A 60 V SOIC, PowerTrench FDS86540
- onsemi N-Kanal 6 8 ben PowerTrench FDS5351
