onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 11.4 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- RS-varenummer:
- 166-3423
- Producentens varenummer:
- FDD770N15A
- Brand:
- onsemi
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 166-3423
- Producentens varenummer:
- FDD770N15A
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 77mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 56.8W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.4nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.25V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 2.39mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Serie PowerTrench | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 77mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 56.8W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.4nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.25V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 2.39mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
PowerTrench® N-kanal MOSFET, 10 A til 19,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET transistorer, PÅ Semi
På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 11.4 A 150 V Forbedring TO-252, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 8 A 150 V Forbedring TO-252, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 14 A 150 V Forbedring TO-252, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 26 A 150 V Forbedring TO-252, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 21 A 150 V Forbedring TO-252, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 57 A 40 V Forbedring TO-252, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 42 A 40 V Forbedring TO-252, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 58 A 30 V Forbedring TO-252, PowerTrench