ROHM N-Kanal, MOSFET, 2,5 A 30 V, 3 ben, TSMT RSR025N03TL

Brand

ROHM

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

2,5 A

Drain source spænding maks.

30 V

Kapslingstype

TSMT

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

70 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

2.5V

Mindste tærskelspænding for port

1V

Effektafsættelse maks.

1 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

±20 V

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Længde

3mm

Gate-ladning ved Vgs typisk

2,9 nC ved 5 V

Antal elementer per chip

1

Bredde

1.8mm

Højde

0.95mm

Driftstemperatur min.

-55 °C

Gennemgangsspænding for diode

1.2V