STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 17 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, MDmesh
- RS-varenummer:
- 168-7535
- Producentens varenummer:
- STB18NM80
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 16.768,00
(ekskl. moms)
Kr. 20.960,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 19. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | Kr. 16,768 | Kr. 16.768,00 |
| 2000 + | Kr. 16,668 | Kr. 16.668,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-7535
- Producentens varenummer:
- STB18NM80
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 17A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | MDmesh | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 295mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -65°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 70nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 190W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.6mm | |
| Længde | 10.75mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie MDmesh | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 295mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -65°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 70nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 190W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.6mm | ||
Længde 10.75mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 17 A 800 V Forbedring TO-263, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 17 A 500 V Forbedring TO-263, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 17 A 650 V Forbedring TO-263, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5.2 A 800 V Forbedring TO-263 SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 17 A 800 V Forbedring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 11 A 800 V Forbedring TO-263, STB11NM80
- STMicroelectronics Type N-Kanal 35 A 710 V Forbedring TO-263, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 14 A 500 V Forbedring TO-263 SuperMESH