STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 12 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, MDmesh M5
- RS-varenummer:
- 168-7560
- Producentens varenummer:
- STD16N65M5
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 31.685,00
(ekskl. moms)
Kr. 39.605,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.500 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 12,674 | Kr. 31.685,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-7560
- Producentens varenummer:
- STD16N65M5
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 279mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 90W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 31nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 2.4mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 279mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 90W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 31nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 2.4mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MDmesh™ M5 serien, STMicroelectronics
MDmesh M5 effekt-MOSFET'erne er optimeret til høj-effekt PFC og PWM topologier. Vigtigste funktioner omfatter et lavt ledetilstandstab pr. siliciumområde kombineret med lav gate-opladning. De er designet til energibevidste, kompakte og pålidelige hårde skifteopgaver, som f.eks. solenergi konvertere, strømforsyninger til forbrugerprodukter og elektronisk belysningsstyring.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 650 V Forbedring TO-252, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 650 V Forbedring TO-220FP, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 13 A 550 V Forbedring TO-252, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 15 A 710 V Forbedring TO-252, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 11 A 710 V Forbedring TO-252, MDmesh M5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5.5 A 650 V Forbedring TO-252, MDmesh M2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 4.5 A 650 V Forbedring TO-252, MDmesh M2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 10 A 650 V Forbedring TO-252, MDmesh M2