STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 75 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, STripFET
- RS-varenummer:
- 168-7585
- Producentens varenummer:
- STW75NF20
- Brand:
- STMicroelectronics
Få rabat ved storkøb
Tilføj 150 flere for at gemme 2%
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 659,07
(ekskl. moms)
Kr. 823,83
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 270 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 30 - 120 | Kr. 21,969 | Kr. 659,07 | - |
| 150 - 270 | Kr. 21,419 | Kr. 642,57 | 2% |
| 300 + | Kr. 20,826 | Kr. 624,78 | 5% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-7585
- Producentens varenummer:
- STW75NF20
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 75A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | STripFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 34mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 84nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 190W | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Min. driftstemperatur | -50°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 20.15mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 15.75mm | |
| Bredde | 5.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 75A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie STripFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 34mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 84nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 190W | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Min. driftstemperatur -50°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 20.15mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 15.75mm | ||
Bredde 5.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 75 A 200 V Forbedring TO-247, STripFET
- STMicroelectronics N-Kanal 75 A 75 V Forbedring TO-263, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 75 A 200 V Forbedring TO-263, STripFET
- STMicroelectronics N-Kanal 120 A 75 V Forbedring TO-263, STripFET
- STMicroelectronics N-Kanal 120 A 75 V Forbedring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 80 A 75 V Forbedring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics N-Kanal 120 A 75 V Forbedring TO-263, STripFET F3
- STMicroelectronics 1 N-Kanal Enkelt 75 A 200 V Forbedring TO-220, STripFET