Toshiba Type N-Kanal, MOSFET, 43 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, TK
- RS-varenummer:
- 168-7775
- Producentens varenummer:
- TK30E06N1
- Brand:
- Toshiba
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 221,50
(ekskl. moms)
Kr. 277,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.600 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | Kr. 4,43 | Kr. 221,50 |
| 250 - 450 | Kr. 4,075 | Kr. 203,75 |
| 500 - 1200 | Kr. 3,833 | Kr. 191,65 |
| 1250 - 2450 | Kr. 3,691 | Kr. 184,55 |
| 2500 + | Kr. 3,601 | Kr. 180,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-7775
- Producentens varenummer:
- TK30E06N1
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 43A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | TK | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 15mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 53W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 16nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.16mm | |
| Højde | 15.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 43A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie TK | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 15mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 53W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 16nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.16mm | ||
Højde 15.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
MOSFET, N-kanal, TK3x serien, Toshiba
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterede links
- Toshiba Type N-Kanal 43 A 60 V Forbedring TO-220, TK
- Toshiba Type N-Kanal 60 A 60 V Forbedring TO-220, TK
- Toshiba Type N-Kanal 105 A 60 V Forbedring TO-220, TK
- Toshiba Type N-Kanal 30 A 60 V Forbedring TO-220, TK
- Toshiba Type N-Kanal 100 A 60 V Forbedring TO-220, TK
- Toshiba Type N-Kanal 60 A 120 V Forbedring TO-220, TK
- Toshiba Type N-Kanal 58 A 60 V Forbedring TO-220, TK
- Toshiba Type N-Kanal 214 A 80 V Forbedring TO-220, TK